NGTD28T65F2WP
制造商: | ON Semiconductor |
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产品类别: | Transistors - IGBTs - Single |
说明书: | NGTD28T65F2WP |
描述: | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | ON Semiconductor |
产品类别 | Transistors - IGBTs - Single |
系列 | - |
IGBT类型 | Trench Field Stop |
包装 | Bulk |
输入类型 | Standard |
部分状态 | Active |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | Die |
测试条件 | - |
交换能量 | - |
Td(开/关)@ 25°C | - |
工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
供应商设备包 | Die |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A |
集电极脉冲电流(Icm) | 200A |
电压-集电极-发射极击穿(最大) | 650V |
现货库存 50 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$2.15 | $2.11 | $2.06 |
最低数量: 1