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NGTD30T120F2WP

制造商: ON Semiconductor
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
说明书: NGTD30T120F2WP
描述: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ON Semiconductor
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 -
IGBT类型 Trench Field Stop
包装 Bulk
输入类型 Standard
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 Die
测试条件 -
交换能量 -
Td(开/关)@ 25°C -
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
供应商设备包 Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
集电极脉冲电流(Icm) 200A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 1200V

现货库存 97 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.29 $2.24 $2.20
最低数量: 1

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