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NJD35N04T4G

制造商: ON Semiconductor
产品类别: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
说明书: NJD35N04T4G
描述: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ON Semiconductor
产品类别 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
系列 -
包装 Digi-Reel®
部分状态 Active
权力——马克思 45W
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
晶体管类型 NPN - Darlington
工作温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
频率-过渡 90MHz
供应商设备包 DPAK
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic 1.5V @ 20mA, 2A
电流-集电极(Ic) (Max) 4A
电流-集电极截止(最大) 50µA
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 2A, 2V
电压-集电极-发射极击穿(最大) 350V

现货库存 8032 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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