Image is for reference only , details as Specifications

NJVBUB323ZT4G

制造商:	ON Semiconductor
产品类别:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
说明书:	NJVBUB323ZT4G
描述:	TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	ON Semiconductor
产品类别	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
系列	-
包装	Tape & Reel (TR)
部分状态	Active
权力——马克思	150W
安装方式	Surface Mount
包/箱	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
晶体管类型	NPN - Darlington
工作温度	-65°C ~ 175°C (TJ)
频率-过渡	2MHz
供应商设备包	D2PAK-3
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic	1.7V @ 250mA, 10A
电流-集电极(Ic) (Max)	10A
电流-集电极截止(最大)	100µA
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce	500 @ 5A, 4.6V
电压-集电极-发射极击穿(最大)	350V