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NJVNJD35N04G
| 制造商: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 说明书: | NJVNJD35N04G |
| 描述: | TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK-4 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 系列 | - |
| 包装 | Tube |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 45W |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 基础零件号 | NJD35N04 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 频率-过渡 | 90MHz |
| 供应商设备包 | DPAK |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 1.5V @ 20mA, 2A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 4A |
| 电流-集电极截止(最大) | 50µA |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 2A, 2V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 350V |
现货库存 160 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.92 | $0.90 | $0.88 |
最低数量: 1
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