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NSBA115TF3T5G

制造商: ON Semiconductor
产品类别: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
说明书: NSBA115TF3T5G
描述: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ON Semiconductor
产品类别 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
系列 -
包装 Tape & Reel (TR)
部分状态 Active
权力——马克思 254mW
安装方式 Surface Mount
包/箱 SOT-1123
晶体管类型 PNP - Pre-Biased
基础零件号 NSBA1*
电阻-基极(R1) 100 kOhms
供应商设备包 SOT-1123
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
电流-集电极(Ic) (Max) 100mA
电流-集电极截止(最大) 500nA
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
电压-集电极-发射极击穿(最大) 50V

现货库存 73 pcs

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