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NSBA123TDP6T5G

制造商:	ON Semiconductor
产品类别:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
说明书:	NSBA123TDP6T5G
描述:	TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	ON Semiconductor
产品类别	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
系列	-
包装	Tape & Reel (TR)
部分状态	Active
权力——马克思	408mW
安装方式	Surface Mount
包/箱	SOT-963
晶体管类型	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
基础零件号	NSBA1*
电阻-基极(R1)	2.2kOhms
频率-过渡	-
供应商设备包	SOT-963
电阻-发射极基(R2)	-
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
电流-集电极(Ic) (Max)	100mA
电流-集电极截止(最大)	500nA
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce	160 @ 5mA, 10V
电压-集电极-发射极击穿(最大)	50V