Image is for reference only , details as Specifications

NSBC115EPDXV6T1G

制造商:	ON Semiconductor
产品类别:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
说明书:	NSBC115EPDXV6T1G
描述:	SS SOT563 RSTR XSTR TR
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	ON Semiconductor
产品类别	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
系列	Automotive, AEC-Q101
部分状态	Active
权力——马克思	357mW
安装方式	Surface Mount
包/箱	SOT-563, SOT-666
晶体管类型	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
电阻-基极(R1)	100kOhms
频率-过渡	-
供应商设备包	SOT-563
电阻-发射极基(R2)	100kOhms
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
电流-集电极(Ic) (Max)	100mA
电流-集电极截止(最大)	500nA
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V
电压-集电极-发射极击穿(最大)	50V