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NSV60101DMR6T1G

制造商:	ON Semiconductor
产品类别:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
说明书:	NSV60101DMR6T1G
描述:	60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	ON Semiconductor
产品类别	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
系列	Automotive, AEC-Q101
部分状态	Active
权力——马克思	530mW
安装方式	Surface Mount
包/箱	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
晶体管类型	2 NPN (Dual)
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
频率-过渡	200MHz
供应商设备包	SC-74
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic	200mV @ 100mA, 1A
电流-集电极(Ic) (Max)	1A
电流-集电极截止(最大)	100nA (ICBO)
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce	250 @ 100mA, 5V
电压-集电极-发射极击穿(最大)	60V