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NSV60101DMR6T1G
| 制造商: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| 说明书: | NSV60101DMR6T1G |
| 描述: | 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE( |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 530mW |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 晶体管类型 | 2 NPN (Dual) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 频率-过渡 | 200MHz |
| 供应商设备包 | SC-74 |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 200mV @ 100mA, 1A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 1A |
| 电流-集电极截止(最大) | 100nA (ICBO) |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 5V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 60V |
现货库存 57 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.14 | $0.14 | $0.13 |
最低数量: 1
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