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NSVIMD10AMT1G

制造商: ON Semiconductor
产品类别: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
说明书: NSVIMD10AMT1G
描述: SURF MT BIASED RES XSTR
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ON Semiconductor
产品类别 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
系列 Automotive, AEC-Q101
包装 Digi-Reel®
部分状态 Active
权力——马克思 285mW
安装方式 Surface Mount
包/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
晶体管类型 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
电阻-基极(R1) 13kOhms, 130Ohms
频率-过渡 -
供应商设备包 SC-74R
电阻-发射极基(R2) 10kOhms
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
电流-集电极(Ic) (Max) 500mA
电流-集电极截止(最大) 500nA
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
电压-集电极-发射极击穿(最大) 50V

现货库存 2999 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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