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NSVMMUN2132LT1G

制造商:	ON Semiconductor
产品类别:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
说明书:	NSVMMUN2132LT1G
描述:	TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	ON Semiconductor
产品类别	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
系列	-
包装	Tape & Reel (TR)
部分状态	Active
权力——马克思	246mW
安装方式	Surface Mount
包/箱	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
晶体管类型	PNP - Pre-Biased
基础零件号	MMUN21**L
电阻-基极(R1)	4.7 kOhms
供应商设备包	SOT-23-3 (TO-236)
电阻-发射极基(R2)	4.7 kOhms
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic	250mV @ 1mA, 10mA
电流-集电极(Ic) (Max)	100mA
电流-集电极截止(最大)	500nA
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce	15 @ 5mA, 10V
电压-集电极-发射极击穿(最大)	50V