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NTLJD2105LTBG
| 制造商: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 说明书: | NTLJD2105LTBG |
| 描述: | MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 系列 | - |
| 场效应晶体管类型 | N and P-Channel |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 场效应晶体管的特性 | Standard |
| 部分状态 | Obsolete |
| 权力——马克思 | 520mW |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | 6-WDFN Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 50mOhm @ 4A, 4.5V |
| 供应商设备包 | 6-WDFN (2x2) |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | - |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 2.5A |
现货库存 57 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1
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