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NVD5117PLT4G

制造商:	ON Semiconductor
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	NVD5117PLT4G
描述:	MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	ON Semiconductor
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	Automotive, AEC-Q101
场效应晶体管类型	P-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Discontinued at Digi-Key
安装方式	Surface Mount
包/箱	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	16mOhm @ 29A, 10V
功耗(Max)	4.1W (Ta), 118W (Tc)
供应商设备包	DPAK
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	85nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	60V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	4.8nF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	11A (Ta), 61A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	4.5V, 10V