NVMFD5C650NLT1G
制造商: | ON Semiconductor |
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产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
说明书: | NVMFD5C650NLT1G |
描述: | MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | ON Semiconductor |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
系列 | Automotive, AEC-Q101 |
场效应晶体管类型 | 2 N-Channel (Dual) |
包装 | Digi-Reel® |
场效应晶体管的特性 | Standard |
部分状态 | Active |
权力——马克思 | 3.5W (Ta), 125W (Tc) |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | 8-PowerTDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 98µA |
工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 20A, 10V |
供应商设备包 | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 16nC @ 4.5V |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 2546pF @ 25V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 21A (Ta), 111A (Tc) |
现货库存 53 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最低数量: 1