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NVMFD6H852NLT1G

制造商: ON Semiconductor
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: NVMFD6H852NLT1G
描述: FET NCH 80V
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ON Semiconductor
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 Automotive, AEC-Q101
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 26µA
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 25.5mOhm @ 10A, 10V
功耗(Max) 3.2W (Ta), 38W (Tc)
供应商设备包 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 10nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 80V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 521pF @ 40V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 7A (Ta), 25A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 4.5V, 10V

现货库存 63 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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