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NVMFD6H852NLT1G

制造商:	ON Semiconductor
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	NVMFD6H852NLT1G
描述:	FET NCH 80V
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	ON Semiconductor
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	Automotive, AEC-Q101
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 26µA
工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	25.5mOhm @ 10A, 10V
功耗(Max)	3.2W (Ta), 38W (Tc)
供应商设备包	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	10nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	80V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	521pF @ 40V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	7A (Ta), 25A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	4.5V, 10V