Image is for reference only , details as Specifications

NVMFS5H663NLT1G

制造商:	ON Semiconductor
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	NVMFS5H663NLT1G
描述:	T8 60V LOW COSS
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	ON Semiconductor
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	Automotive, AEC-Q101
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-PowerTDFN, 5 Leads
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 56µA
工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	7.2mOhm @ 20A, 10V
功耗(Max)	3.7W (Ta), 63W (Tc)
供应商设备包	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	17nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	60V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1131pF @ 30V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	16.2A (Ta), 67A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	4.5V, 10V