DMG563H50R
制造商: | Panasonic Electronic Components |
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产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
说明书: | DMG563H50R |
描述: | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5 |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | Panasonic Electronic Components |
产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
系列 | - |
包装 | Tape & Reel (TR) |
部分状态 | Active |
权力——马克思 | 150mW |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
晶体管类型 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
基础零件号 | DMG563 |
电阻-基极(R1) | 47kOhms, 10kOhms |
频率-过渡 | - |
供应商设备包 | SMini5-F3-B |
电阻-发射极基(R2) | 47kOhms |
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
电流-集电极(Ic) (Max) | 100mA |
电流-集电极截止(最大) | 500nA |
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
电压-集电极-发射极击穿(最大) | 50V |
现货库存 81 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.13 | $0.13 | $0.12 |
最低数量: 1