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2SCR586D3TL1
| 制造商: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 说明书: | 2SCR586D3TL1 |
| 描述: | POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ROHM Semiconductor |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 系列 | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 10W |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 频率-过渡 | 200MHz |
| 供应商设备包 | TO-252 |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 300mV @ 100mA, 2A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 5A |
| 电流-集电极截止(最大) | 1µA (ICBO) |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 3V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 80V |
