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BSM180C12P2E202
| 制造商: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 说明书: | BSM180C12P2E202 |
| 描述: | BSM180C12P2E202 IS A SIC (SILICO |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ROHM Semiconductor |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 系列 | - |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 包装 | Tray |
| vg (Max) | +22V, -6V |
| 技术 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 场效应晶体管的特性 | - |
| 部分状态 | Active |
| 安装方式 | Chassis Mount |
| 包/箱 | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35.2mA |
| 工作温度 | 175°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | - |
| 功耗(Max) | 1360W (Tc) |
| 供应商设备包 | Module |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 20000pF @ 10V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 204A (Tc) |
| 驱动电压(最大Rds开，最小Rds开) | - |
现货库存 4 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $560.00 | $548.80 | $537.82 |
最低数量: 1
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