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BSM180D12P2C101
| 制造商: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 说明书: | BSM180D12P2C101 |
| 描述: | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ROHM Semiconductor |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 系列 | - |
| 场效应晶体管类型 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 包装 | Bulk |
| 场效应晶体管的特性 | Silicon Carbide (SiC) |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 1130W |
| 包/箱 | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35.2mA |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | - |
| 供应商设备包 | Module |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 10V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 204A (Tc) |
现货库存 21 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $410.07 | $401.87 | $393.83 |
最低数量: 1
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