BSM600C12P3G201
制造商: | ROHM Semiconductor |
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产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
说明书: | BSM600C12P3G201 |
描述: | BSM600C12P3G201 IS A CHOPPER MOD |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | ROHM Semiconductor |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
系列 | - |
场效应晶体管类型 | N-Channel |
包装 | Tray |
vg (Max) | +22V, -4V |
技术 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
场效应晶体管的特性 | - |
部分状态 | Active |
安装方式 | Chassis Mount |
包/箱 | Module |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 182mA |
工作温度 | 175°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | - |
功耗(Max) | 2460W (Tc) |
供应商设备包 | Module |
漏源极电压(Vdss) | 1200V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 28000pF @ 10V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 600A (Tc) |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | - |
现货库存 68 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1,120.00 | $1,097.60 | $1,075.65 |
最低数量: 1