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BSM600C12P3G201

制造商: ROHM Semiconductor
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: BSM600C12P3G201
描述: BSM600C12P3G201 IS A CHOPPER MOD
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ROHM Semiconductor
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 -
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tray
vg (Max) +22V, -4V
技术 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Chassis Mount
包/箱 Module
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 182mA
工作温度 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs -
功耗(Max) 2460W (Tc)
供应商设备包 Module
漏源极电压(Vdss) 1200V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 28000pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 600A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) -

现货库存 68 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1,120.00 $1,097.60 $1,075.65
最低数量: 1

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