Image is for reference only , details as Specifications

DTC115EUAT106

制造商:	ROHM Semiconductor
产品类别:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
说明书:	DTC115EUAT106
描述:	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	ROHM Semiconductor
产品类别	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
系列	-
包装	Digi-Reel®
部分状态	Not For New Designs
权力——马克思	200mW
安装方式	Surface Mount
包/箱	SC-70, SOT-323
晶体管类型	NPN - Pre-Biased
基础零件号	DTC115
电阻-基极(R1)	100 kOhms
频率-过渡	250MHz
供应商设备包	UMT3
电阻-发射极基(R2)	100 kOhms
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
电流-集电极(Ic) (Max)	20mA
电流-集电极截止(最大)	500nA
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce	82 @ 5mA, 5V
电压-集电极-发射极击穿(最大)	50V