Image is for reference only , details as Specifications
DTC363EUT106
| 制造商: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| 说明书: | DTC363EUT106 |
| 描述: | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ROHM Semiconductor |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| 系列 | - |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 部分状态 | Obsolete |
| 权力——马克思 | 200mW |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | SC-70, SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN - Pre-Biased |
| 基础零件号 | DTC363 |
| 电阻-基极(R1) | 6.8 kOhms |
| 频率-过渡 | 200MHz |
| 供应商设备包 | UMT3 |
| 电阻-发射极基(R2) | 6.8 kOhms |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 80mV @ 2.5mA, 50mA |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 600mA |
| 电流-集电极截止(最大) | 500nA |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 20V |
现货库存 98 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1
报价请求
请填写以下表格，我们将尽快与您联系
猜你想要
