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DTD114ECHZGT116

制造商:	ROHM Semiconductor
产品类别:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
说明书:	DTD114ECHZGT116
描述:	TRANS PREBIAS NPN 500MA SST3
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	ROHM Semiconductor
产品类别	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	Digi-Reel®
部分状态	Active
权力——马克思	200mW
安装方式	Surface Mount
包/箱	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
晶体管类型	NPN - Pre-Biased + Diode
电阻-基极(R1)	10 kOhms
频率-过渡	200MHz
供应商设备包	SST3
电阻-发射极基(R2)	10 kOhms
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
电流-集电极(Ic) (Max)	500mA
电流-集电极截止(最大)	-
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce	56 @ 50mA, 5V