DTD123TSTP
制造商: | ROHM Semiconductor |
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产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
说明书: | DTD123TSTP |
描述: | TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | ROHM Semiconductor |
产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
系列 | - |
包装 | Tape & Reel (TR) |
部分状态 | Obsolete |
权力——马克思 | 300mW |
安装方式 | Through Hole |
包/箱 | SC-72 Formed Leads |
晶体管类型 | NPN - Pre-Biased |
基础零件号 | DTD123 |
电阻-基极(R1) | 2.2 kOhms |
频率-过渡 | 200MHz |
供应商设备包 | SPT |
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
电流-集电极(Ic) (Max) | 500mA |
电流-集电极截止(最大) | 500nA (ICBO) |
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
电压-集电极-发射极击穿(最大) | 40V |
现货库存 93 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最低数量: 1