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DTD543EMT2L

制造商:	ROHM Semiconductor
产品类别:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
说明书:	DTD543EMT2L
描述:	TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	ROHM Semiconductor
产品类别	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
系列	-
包装	Tape & Reel (TR)
部分状态	Active
权力——马克思	150mW
安装方式	Surface Mount
包/箱	SOT-723
晶体管类型	NPN - Pre-Biased
基础零件号	DTD543
电阻-基极(R1)	4.7 kOhms
频率-过渡	260MHz
供应商设备包	VMT3
电阻-发射极基(R2)	4.7 kOhms
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic	300mV @ 5mA, 100mA
电流-集电极(Ic) (Max)	500mA
电流-集电极截止(最大)	500nA
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce	115 @ 100mA, 2V
电压-集电极-发射极击穿(最大)	12V