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EMD29T2R
| 制造商: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| 说明书: | EMD29T2R |
| 描述: | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ROHM Semiconductor |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| 系列 | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 120mW |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | SOT-563, SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 基础零件号 | *MD29 |
| 电阻-基极(R1) | 1kOhms, 10kOhms |
| 频率-过渡 | 250MHz, 260MHz |
| 供应商设备包 | EMT6 |
| 电阻-发射极基(R2) | 10kOhms |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
| 电流-集电极截止(最大) | 500nA |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 50V, 12V |
