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EMF22T2R

制造商:	ROHM Semiconductor
产品类别:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
说明书:	EMF22T2R
描述:	TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	ROHM Semiconductor
产品类别	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
系列	-
包装	Tape & Reel (TR)
部分状态	Obsolete
权力——马克思	150mW
安装方式	Surface Mount
包/箱	SOT-563, SOT-666
晶体管类型	1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
电阻-基极(R1)	10kOhms
频率-过渡	250MHz, 320MHz
供应商设备包	EMT6
电阻-发射极基(R2)	10kOhms
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
电流-集电极(Ic) (Max)	100mA, 500mA
电流-集电极截止(最大)	500nA
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
电压-集电极-发射极击穿(最大)	50V, 12V