IMB3AT110
制造商: | ROHM Semiconductor |
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产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
说明书: | IMB3AT110 |
描述: | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | ROHM Semiconductor |
产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
系列 | - |
包装 | Tape & Reel (TR) |
部分状态 | Active |
权力——马克思 | 300mW |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | SC-74, SOT-457 |
晶体管类型 | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
基础零件号 | MB3 |
电阻-基极(R1) | 4.7kOhms |
频率-过渡 | 250MHz |
供应商设备包 | SMT6 |
电阻-发射极基(R2) | - |
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 5mA |
电流-集电极(Ic) (Max) | 100mA |
电流-集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
电压-集电极-发射极击穿(最大) | 50V |
现货库存 55 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.11 | $0.11 | $0.11 |
最低数量: 1