图片仅供参考,请参阅产品说明书

IMH23T110

制造商: ROHM Semiconductor
产品类别: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
说明书: IMH23T110
描述: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ROHM Semiconductor
产品类别 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
系列 -
包装 Digi-Reel®
部分状态 Active
权力——马克思 300mW
安装方式 Surface Mount
包/箱 SC-74, SOT-457
晶体管类型 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
基础零件号 *MH23
电阻-基极(R1) 4.7kOhms
频率-过渡 150MHz
供应商设备包 SMT6
电阻-发射极基(R2) -
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic 150mV @ 2.5mA, 50mA
电流-集电极(Ic) (Max) 600mA
电流-集电极截止(最大) -
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce 820 @ 50mA, 5V
电压-集电极-发射极击穿(最大) 20V

现货库存 2817 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

UMC4N-7
Diodes Incorporated
$0
RN1905(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
IMH5AT108
ROHM Semiconductor
$0
DDA144EU-7
Diodes Incorporated
$0
RN1909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0