Image is for reference only , details as Specifications

R6006JND3TL1

制造商:	ROHM Semiconductor
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	R6006JND3TL1
描述:	NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	ROHM Semiconductor
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	-
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	±30V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	7V @ 800µA
工作温度	150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	936mOhm @ 3A, 15V
功耗(Max)	86W (Tc)
供应商设备包	TO-252
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	15.5nC @ 15V
漏源极电压(Vdss)	600V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	410pF @ 100V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	6A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	15V