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R6007JND3TL1

制造商: ROHM Semiconductor
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: R6007JND3TL1
描述: R6007JND3 IS A POWER MOSFET WITH
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ROHM Semiconductor
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 -
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±30V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 7V @ 1mA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 780mOhm @ 3.5A, 15V
功耗(Max) 96W (Tc)
供应商设备包 TO-252
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 17.5nC @ 15V
漏源极电压(Vdss) 600V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 475pF @ 100V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 7A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 15V

现货库存 80 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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