Image is for reference only , details as Specifications

R6007JNJGTL

制造商: ROHM Semiconductor
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: R6007JNJGTL
描述: R6007JNJ IS A POWER MOSFET WITH
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ROHM Semiconductor
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 -
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±30V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 7V @ 1mA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 780mOhm @ 3.5A, 15V
功耗(Max) 96W (Tc)
供应商设备包 LPTS (D2PAK)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 17.5nC @ 15V
漏源极电压(Vdss) 600V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 475pF @ 100V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 7A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 15V

现货库存 100 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

SQD10950E_GE3
Vishay / Siliconix
$1.14
STD100N10LF7AG
STMicroelectronics
$1.13
IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
$0
DMN90H8D5HCT
Diodes Incorporated
$1.12
SIDR402DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0