Image is for reference only , details as Specifications

R6030KNZ1C9

制造商: ROHM Semiconductor
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: R6030KNZ1C9
描述: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ROHM Semiconductor
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 -
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tube
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 130mOhm @ 14.5A, 10V
功耗(Max) 305W (Tc)
供应商设备包 TO-247
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 56nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 600V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 2350pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 30A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 430 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.37 $3.30 $3.24
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

STB36NM60ND
STMicroelectronics
$0
IPP60R160C6XKSA1
Infineon Technologies
$3.36
IPW60R190E6FKSA1
Infineon Technologies
$3.36
IPA60R160C6XKSA1
Infineon Technologies
$3.36
IPW65R190CFDFKSA1
Infineon Technologies
$3.35