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RD3G600GNTL

制造商: ROHM Semiconductor
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: RD3G600GNTL
描述: RD3G600GN IS A POWER MOSFET WITH
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ROHM Semiconductor
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 -
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
工作温度 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 3.6mOhm @ 60A, 10V
功耗(Max) 40W (Ta)
供应商设备包 TO-252
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 46.5nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 40V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 3400pF @ 20V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 60A (Ta)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 4.5V, 10V

现货库存 51 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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