Image is for reference only , details as Specifications

RD3G600GNTL

制造商:	ROHM Semiconductor
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	RD3G600GNTL
描述:	RD3G600GN IS A POWER MOSFET WITH
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	ROHM Semiconductor
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	-
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
工作温度	150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	3.6mOhm @ 60A, 10V
功耗(Max)	40W (Ta)
供应商设备包	TO-252
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	46.5nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	40V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	3400pF @ 20V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	60A (Ta)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	4.5V, 10V