RD3L08BGNTL
制造商: | ROHM Semiconductor |
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产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
说明书: | RD3L08BGNTL |
描述: | RD3L08BGN IS A POWER MOSFET, SUI |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | ROHM Semiconductor |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
系列 | - |
场效应晶体管类型 | N-Channel |
包装 | Cut Tape (CT) |
vg (Max) | ±20V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应晶体管的特性 | - |
部分状态 | Active |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
工作温度 | 150°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 80A, 10V |
功耗(Max) | 119W (Tc) |
供应商设备包 | TO-252 |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 71nC @ 10V |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 3620pF @ 30V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 4.5V, 10V |
现货库存 2500 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$2.27 | $2.22 | $2.18 |
最低数量: 1