RDN080N25FU6
制造商: | ROHM Semiconductor |
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产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
说明书: | RDN080N25FU6 |
描述: | MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | ROHM Semiconductor |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
系列 | - |
场效应晶体管类型 | N-Channel |
包装 | Bulk |
vg (Max) | ±30V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应晶体管的特性 | - |
部分状态 | Obsolete |
安装方式 | Through Hole |
包/箱 | TO-220-3 Full Pack |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
工作温度 | 150°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 500mOhm @ 4A, 10V |
功耗(Max) | 35W (Tc) |
供应商设备包 | TO-220FN |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 30nC @ 10V |
漏源极电压(Vdss) | 250V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 543pF @ 10V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 10V |
现货库存 50 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最低数量: 1