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RGT30NS65DGTL

制造商: ROHM Semiconductor
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
说明书: RGT30NS65DGTL
描述: IGBT 650V 30A 133W TO-263S
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ROHM Semiconductor
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 -
IGBT类型 Trench Field Stop
包装 Digi-Reel®
输入类型 Standard
门负责 32nC
部分状态 Active
权力——马克思 133W
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
测试条件 400V, 15A, 10Ohm, 15V
交换能量 -
Td(开/关)@ 25°C 18ns/64ns
工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
供应商设备包 LPDS (TO-263S)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A
反向恢复时间(trr) 55ns
电流-集电极(Ic) (Max) 30A
集电极脉冲电流(Icm) 45A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 650V

现货库存 976 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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