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RGT60TS65DGC11

制造商: ROHM Semiconductor
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
说明书: RGT60TS65DGC11
描述: IGBT 650V 55A 194W TO-247N
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ROHM Semiconductor
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 -
IGBT类型 Trench Field Stop
包装 Tube
输入类型 Standard
门负责 58nC
部分状态 Active
权力——马克思 194W
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-247-3
测试条件 400V, 30A, 10Ohm, 15V
交换能量 -
Td(开/关)@ 25°C 29ns/100ns
工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
供应商设备包 TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A
反向恢复时间(trr) 58ns
电流-集电极(Ic) (Max) 55A
集电极脉冲电流(Icm) 90A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 650V

现货库存 260 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.31 $3.24 $3.18
最低数量: 1

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