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RGT8NS65DGC9
| 制造商: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - IGBTs - Single |
| 说明书: | RGT8NS65DGC9 |
| 描述: | IGBT |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ROHM Semiconductor |
| 产品类别 | Transistors - IGBTs - Single |
| 系列 | - |
| IGBT类型 | Trench Field Stop |
| 包装 | Tube |
| 输入类型 | Standard |
| 门负责 | 13.5nC |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 65W |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 测试条件 | 400V, 4A, 50Ohm, 15V |
| 交换能量 | - |
| Td(开/关)@ 25°C | 17ns/69ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 供应商设备包 | TO-262 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| 反向恢复时间(trr) | 40ns |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 8A |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 12A |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 650V |
现货库存 1000 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.73 | $1.70 | $1.66 |
最低数量: 1
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