图片仅供参考，请参阅产品说明书
RGTH00TS65DGC11
| 制造商: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - IGBTs - Single |
| 说明书: | RGTH00TS65DGC11 |
| 描述: | IGBT 650V 85A 277W TO-247N |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ROHM Semiconductor |
| 产品类别 | Transistors - IGBTs - Single |
| 系列 | - |
| IGBT类型 | Trench Field Stop |
| 包装 | Tube |
| 输入类型 | Standard |
| 门负责 | 94nC |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 277W |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | TO-247-3 |
| 测试条件 | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| 交换能量 | - |
| Td(开/关)@ 25°C | 39ns/143ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 供应商设备包 | TO-247N |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| 反向恢复时间(trr) | 54ns |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 85A |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 200A |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 650V |
现货库存 9 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $4.58 | $4.49 | $4.40 |
最低数量: 1
报价请求
请填写以下表格，我们将尽快与您联系
猜你想要
