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RQ3E100MNTB1

制造商: ROHM Semiconductor
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: RQ3E100MNTB1
描述: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ROHM Semiconductor
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 -
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Discontinued at Digi-Key
安装方式 Surface Mount
包/箱 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
工作温度 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 12.3mOhm @ 10A, 10V
功耗(Max) 2W (Ta)
供应商设备包 8-HSMT (3.2x3)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 9.9nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 15V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 10A (Ta)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 4.5V, 10V

现货库存 87 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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