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RS1E200GNTB

制造商: ROHM Semiconductor
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: RS1E200GNTB
描述: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ROHM Semiconductor
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 -
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
工作温度 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 4.6mOhm @ 20A, 10V
功耗(Max) 3W (Ta), 25.1W (Tc)
供应商设备包 8-HSOP
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 16.8nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 1080pF @ 15V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 20A (Ta)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 4.5V, 10V

现货库存 2962 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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