图片仅供参考,请参阅产品说明书

RW1E025RPT2CR

制造商: ROHM Semiconductor
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: RW1E025RPT2CR
描述: MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ROHM Semiconductor
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 -
场效应晶体管类型 P-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Not For New Designs
安装方式 Surface Mount
包/箱 SOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
工作温度 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 75mOhm @ 2.5A, 10V
功耗(Max) 700mW (Ta)
供应商设备包 6-WEMT
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 5.2nC @ 5V
漏源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 2.5A (Ta)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 4V, 10V

现货库存 8274 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

IXFN360N15T2
IXYS
$35.76
GA20JT12-263
GeneSiC Semiconductor
$35.36
STW69N65M5-4
STMicroelectronics
$18.92
IXTK120N65X2
IXYS
$16.97
IPW90R120C3FKSA1
Infineon Technologies
$15.89