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SCT2H12NYTB

制造商:	ROHM Semiconductor
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	SCT2H12NYTB
描述:	1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	ROHM Semiconductor
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	-
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	+22V, -6V
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 410µA
工作温度	175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	1.5Ohm @ 1.1A, 18V
功耗(Max)	44W (Tc)
供应商设备包	TO-268
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	14nC @ 18V
漏源极电压(Vdss)	1700V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	184pF @ 800V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	4A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	18V