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SCT3120ALGC11

制造商:	ROHM Semiconductor
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	SCT3120ALGC11
描述:	MOSFET NCH 650V 21A TO247N
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	ROHM Semiconductor
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	-
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tube
vg (Max)	+22V, -4V
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Through Hole
包/箱	TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id	5.6V @ 3.33mA
工作温度	175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	156mOhm @ 6.7A, 18V
功耗(Max)	103W (Tc)
供应商设备包	TO-247N
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	38nC @ 18V
漏源极电压(Vdss)	650V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	460pF @ 500V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	21A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	18V