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HAT2170HWS-E

制造商: Renesas Electronics America
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: HAT2170HWS-E
描述: MOSFET N-CH LFPAK-5
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Renesas Electronics America
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 -
场效应晶体管类型 N-Channel
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Surface Mount
包/箱 SC-100, SOT-669
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
工作温度 150°C
Rds(最大)@ Id, Vgs 4.2mOhm @ 22.5A, 10V
功耗(Max) 30W (Tc)
供应商设备包 5-LFPAK
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 62nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 40V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 4650pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 45A (Ta)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 7V, 10V

现货库存 56 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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