HAT2210RWS-E
制造商: | Renesas Electronics America |
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产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
说明书: | HAT2210RWS-E |
描述: | MOSFET N-PAK 8SOP |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | Renesas Electronics America |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
系列 | - |
场效应晶体管类型 | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
场效应晶体管的特性 | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
部分状态 | Obsolete |
权力——马克思 | 1.5W (Ta) |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
工作温度 | 150°C |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 24mOhm @ 3.75A, 10V, 22mOhm @ 4A, 10V |
供应商设备包 | 8-SOP |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 4.6nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 10V, 1330pF @ 10V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 7.5A (Ta), 8A (Ta) |
现货库存 80 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最低数量: 1