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HAT2210RWS-E
| 制造商: | Renesas Electronics America |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 说明书: | HAT2210RWS-E |
| 描述: | MOSFET N-PAK 8SOP |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Renesas Electronics America |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 系列 | - |
| 场效应晶体管类型 | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| 场效应晶体管的特性 | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| 部分状态 | Obsolete |
| 权力——马克思 | 1.5W (Ta) |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| 工作温度 | 150°C |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 24mOhm @ 3.75A, 10V, 22mOhm @ 4A, 10V |
| 供应商设备包 | 8-SOP |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 4.6nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 10V, 1330pF @ 10V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 7.5A (Ta), 8A (Ta) |
现货库存 80 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1
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