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RJH60D5DPK-00#T0

制造商:	Renesas Electronics America
产品类别:	Transistors - IGBTs - Single
说明书:	RJH60D5DPK-00#T0
描述:	IGBT 600V 75A 200W TO3P
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Renesas Electronics America
产品类别	Transistors - IGBTs - Single
系列	-
IGBT类型	Trench
包装	Tube
输入类型	Standard
门负责	78nC
部分状态	Active
权力——马克思	200W
安装方式	Through Hole
包/箱	TO-3P-3, SC-65-3
测试条件	300V, 37A, 5Ohm, 15V
基础零件号	RJH60D
交换能量	650µJ (on), 400µJ (off)
Td(开/关)@ 25°C	50ns/135ns
工作温度	150°C (TJ)
供应商设备包	TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 37A
反向恢复时间(trr)	100ns
电流-集电极(Ic) (Max)	75A
电压-集电极-发射极击穿(最大)	600V