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RJK2009DPM-00#T0

制造商:	Renesas Electronics America
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	RJK2009DPM-00#T0
描述:	MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Renesas Electronics America
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	-
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tube
vg (Max)	±30V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Through Hole
包/箱	TO-3PFM, SC-93-3
Vgs(th) (Max) @ Id	-
工作温度	-
Rds(最大)@ Id, Vgs	36mOhm @ 20A, 10V
功耗(Max)	60W (Tc)
供应商设备包	TO-3PFM
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	72nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	200V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	2900pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	40A (Ta)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	10V